קריסטאַל גראָוט

קאָמפּאָונד סעמיקאַנדאַקטער איז באקאנט ווי די רגע דור פון סעמיקאַנדאַקטער מאַטעריאַלס, קאַמפּערד מיט דער ערשטער דור פון סעמיקאַנדאַקטער מאַטעריאַלס, מיט אָפּטיש יבערגאַנג, הויך עלעקטראָן זעטיקונג דריפט קורס און הויך טעמפּעראַטור קעגנשטעל, ראַדיאַציע קעגנשטעל און אנדערע קעראַקטעריסטיקס, אין הינטער-הויך גיכקייַט, הינטער-הויך אָפטקייַט, נידעריק מאַכט, נידעריק ראַש טויזנטער און סערקאַץ, ספּעציעל אָפּטאָעלעקטראָניק דעוויסעס און פאָטאָעלעקטריק סטאָרידזש האט יינציק אַדוואַנטידזשיז, די מערסט רעפּריזענאַטיוו פון וואָס איז GaAs און InP.

דער וווּקס פון קאַמפּאַונד סעמיקאַנדאַקטער איין קריסטאַלז (אַזאַ ווי GaAs, InP, אאז"ו ו) ריקווייערז גאָר שטרענג ינווייראַנמאַנץ, אַרייַנגערעכנט טעמפּעראַטור, רוי מאַטעריאַל ריינקייַט און וווּקס שיף ריינקייַט.PBN איז דערווייַל אַן אידעאל שיף פֿאַר די וווּקס פון קאַמפּאַונד סעמיקאַנדאַקטער איין קריסטאַלז.דערווייַל, די קאַמפּאַונד סעמיקאַנדאַקטער איין-קריסטאַל גראָוט מעטהאָדס דער הויפּט אַרייַננעמען פליסיק פּלאָמבע דירעקט ציען אופֿן (LEC) און ווערטיקאַל גראַדיענט סאָלידיפיקאַטיאָן אופֿן (VGF), קאָראַספּאַנדינג צו Boyu VGF און LEC סעריע קרוסיבלע פּראָדוקטן.